半导体高电子-EDA365

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解析新型三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管原理

发布时间：2024-11-05

目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管.从而提高了静电控制和驱动电流. 目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化 ...<全部>

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