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图文:ST F7 LV MOSFET单片肖特基二极管提高应用性能

 发布时间：2024-11-06
I.前言在同步整流和电桥结构中.RDSon 和 Qg 两个参数并不是对功率MOSFET管的唯一要求.实际上.本征体漏二极管的动态特性对MOSFET整体性能影响很大.体漏二极管的正向压降(VF,diode)影响开关管在续流期间(开关管处 ...<全部>
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