研发资源 > 标签 > 单电子晶体管
|相关技术

基于混合 SET/MOSFET 的比较器的设计

 发布时间：2020-06-28
1. 引言据2001 年的国际半导体技术未来发展预示.到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1].而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理.因此必须寻找新的替代器件.单电子晶体管(Single-Elect ...<全部>
  • 177
上一个 下一个
|最新活动
第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场
|相关标签
|热门文章
基于混合 SET/MOSFET 的比较器的设计

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.