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基于混合 SET/MOSFET 的比较器的设计

 发布时间：2020-06-28
1. 引言据2001 年的国际半导体技术未来发展预示.到2016 年MOSFETs 的物理沟道长度将达到低于10nm 的尺寸[1].而这种尺寸条件会影响到MOSFETs 的基本工作原理.因此必须寻找新的替代器件.单电子晶体管(Single-Elect ...<全部>
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