可控硅电路-EDA365

研发资源 > 标签 > 可控硅电路

|相关技术

可控硅电路中三种常见的击穿发生原因

发布时间：2024-11-23

击穿是电路设计者最不想看到的现象之一.但是由于各种各样的原因.击穿总是时不时发生.本文就将为大家介绍在可控硅电路中经常出现的集中击穿现象.并简述如何对这种击穿现象进行预防.感兴趣的朋友快来看一看吧.过 ...<全部>

技术百科

|

182

实例一种单片机可控硅电路中LDO烧毁原因分析

发布时间：2024-11-23

在双向可控硅电路中.电路打火是一种经常出现的错误现象.很多新手再遭遇电路打火之后都需要耗费很多的精力和时间来进行错误排查.本文将通过举例的方式.为大家介绍一种单片机电路打开可控硅之后电路打火进而烧毁LD ...<全部>

技术百科

|

52

可控硅电路中反射极电压为何趋近方波?

发布时间：2024-11-23

三极管发射极波形图如图1.设计中三极管基极是一直持续高电平.也就是说三极管一直导通.理论来说可控硅发射极电压应该是一条直线.但是为什么在此设计中却和方波类似?并且与电容C22没有关系.图1图2基极电压确定为 ...<全部>

技术百科

|

82

上一个下一个

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

|相关标签

可控硅