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MOS场效应管

发布时间：2023-09-26

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管.英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor).属于绝缘栅型.其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层.因此具有很高的输入 ...<全部>

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半导体场效应管的检测

发布时间：2022-03-15

一般来说.场效应管的检测可以用专用测试仪器测量.亦可用万用表进行简单检测.由于MOS管的输入电阻极高.不宜用万用表测量.必须用测试仪器测量.而且测试仪必须接地良好.结型场效应管可用万用表判别其引脚和性能 ...<全部>

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场效应管FDS9933A

发布时间：2022-01-11

名称:FDS9933A晶体管类型:MOSFET极性:P最大功耗(Pd):2 W.允许的最大漏源电压(Uds):20 V.最大允许直流消耗(Id):3.8 A.最高通道温度(Tj):150°C总快门电荷(Qg):7 nC开源晶体管(Rds)漏源电阻:0.075 ...<全部>

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LM2731 0.6/1.6mhz升压变换器.内置22V场效应管接通SOT-23

发布时间：2021-12-10

一般说明LM2731开关稳压器为电流模式升压型\固定频率为1.6mhz([X")的转换器选项)和600 kHz([Y"选项).SOT-23封装的使用.使得内部1.8A开关功率损耗小.使用方便电感器和电容器是业界最高的功率密度.22V内部开 ...<全部>

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场效应晶体管的特点

发布时间：2021-09-22

什么是场效应晶体管?场效应晶体管(Field-effecttransistor.缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元器件.场效应晶体管依靠电场去控制导电沟道形状.因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性 ...<全部>

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HVVi推出首个高频高电压垂直场效应三极管

发布时间：2021-05-21

HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管(HVVFET?).HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带.电压以及功率级.远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能.这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi ...<全部>

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场效应晶体管放大器

发布时间：2020-07-07

场效应晶体管放大器是电压控制器件.具有输入阻抗高.噪声低的优点.被广泛应用在电子电路中.特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性.根据场效应管两大类型--结型场效应管和绝缘栅场效应管可构成相应的场效应管 ...<全部>

模拟电路设计

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常用晶体管场效应管资料大全

发布时间：2020-06-10

场效应型号反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数特征频率管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS 场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS 场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS ...<全部>

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场效应
常用

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电源应用中场效应晶体管的崩溃效应

发布时间：2020-06-09

前言: 在SMPS(Switching Mode Power Supply)以及DC-DC转换器设计中,使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍.在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度,其电源管理中操作工作频率也要求越来越高.如此会造成 ...<全部>

电源硬件技术

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什么是场效应晶体管

发布时间：2020-06-05

场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管.一般的晶体管是由两种极性的载流子.即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电.因此称为双极型晶体管.而FET仅是由多数载流子参与导电.它与双极型 ...<全部>

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