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通过氯化氢化学气相沉积法对厚4H-SiC薄膜同质外延生长的工艺优化

 发布时间：2024-12-23
本篇文章中提出了一种通过氯化氢化学气相沉积(HCVD)在4°切割基板上快速同质外延生长厚的4H-SiC薄膜的工艺优化方法.所使用的气体是HCl与SiH4.C2H4和H2的混合物.得到的4H-SiC薄膜通过Nomarski.AFM.Raman和XRD等方法进行表征. ...<全部>
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