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IGBT及其子器件的四种失效模式比较

发布时间：2020-06-29

1. 引言IGBT及其派生器件.例如:IGCT.是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件.因此.IGBT的失效模式.既有其子器件MOS和双极的特有失效模式.还有混合型特有的失效模式.MOS是静电极敏感器件.因此.IGBT也是静 ...<全部>

分离器件设计

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