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导入栅极屏蔽结构 沟槽式MOSFET功耗锐减

 发布时间：2020-12-21
更高系统效率和功率密度.是现今数据和电信电源系统设计的首要目标.为达此一目的.半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET).可显著降低全负载及轻负载时的功率 ...<全部>
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