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重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片

 发布时间：2024-11-23
据重庆日报报道.目前.重庆邮电大学实验室已成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片.重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义透露.这款功率半导体芯片电量能节省10%以上.面积是硅芯片的1/5左右.开关速度提升10倍以 ...<全部>
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