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孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?

 发布时间：2024-05-18
工程师常常认为当应用需要更高电压时.使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势.但是.如果只是考虑开关品质因数.相比先进的MOSFET器件.200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了.GaN场效应晶体 ...<全部>
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