硅功率器件-EDA365

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|相关技术

氮化镓场效应晶体管与硅功率器件包络跟踪比较

发布时间：2022-11-09

用于射频(RF)放大器的包络跟踪(ET) 并不是一个全新的概念.但随着我们需要移动电话具备更长的电池寿命.基站需具备更高电源效率.以及昂贵的射频传送器需要实现更大输出功率.使用包络跟踪来改善射频功放(PA)系统的 ...<全部>

技术百科

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科锐推出新型1200V Z-Rec™碳化硅肖特基二极管

发布时间：2020-05-23

2011年 10月11日.北京讯-碳化硅功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广.与硅功率器件相比.科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本.提高可靠性.并为能源效率建立新 ...<全部>

分离器件设计

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孰优孰劣:氮化镓场效应晶体管VS硅功率器件?

发布时间：2024-11-22

工程师常常认为当应用需要更高电压时.使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在性能方面才更具优势.但是.如果只是考虑开关品质因数.相比先进的MOSFET器件.200V的eGaN FET器件的优势好像减弱了.GaN场效应晶体 ...<全部>

电源硬件技术

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