研发资源 > 标签 > 深度饱和
|相关技术

三极管:如何区分其饱和和深度饱和状态呢?

 发布时间：2023-03-09
三极管饱和问题总结:1.在实际工作中.常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件.根据Ib*β=V/R算出的Ib值.只是使晶体管进入了初始饱和状态.实际上应该取该值的数倍以上.才能达到真正的饱和,倍数越大.饱和程 ...<全部>
  • 86
上一个 下一个
|最新活动
一颗引发行业变革的红外芯片

一颗引发行业变革的红外芯片
|相关标签
|热门文章
三极管:如何区分其饱和和深度饱和状态呢?

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.