研发资源 > 标签 > 漏极电容
|相关技术

详解功率MOS管的五种损坏模式

 发布时间：2024-11-18
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压.而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同).并超出一定的能量后就发生破坏的现象. 第一种:雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS ...<全部>
  • 174
上一个 下一个
|最新活动
第二十六届高交会：是时候放出些元宇宙"大招"了

第二十六届高交会：是时候放出些元宇宙"大招"了
|相关标签

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.