片内Flash-EDA365

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|相关技术

MSP430读写片内FLASH保存数据

发布时间：2022-04-28

FLASH型的MSP430单片机都带有信息存储器SegmengA及SegmentB,SegmengA及SegmentB各有128字.SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F.SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh.程序被写入MSP430之后.程序通过SegmengA及S ...<全部>

技术百科

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TMS320F2812片内Flash在线烧写技术研究

发布时间：2021-06-03

1 引言 TMS320F2812(以下简称F2812)是美国德州仪器公司(TI)新一代32位定点数字信号处理器(DSP).主要应用于逆变器控制.电机控制等领域.并拥有工作频率高达150 MHz的32位DSP内核处理器.可以高效可靠地实现自 ...<全部>

DSP系统

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138

STM32F0(10)片内 FLASH 操作

发布时间：2020-08-21

void Flash_Init(void){// 调整flash与时钟速率之间的关系FLASH->ACR |= FLASH_ACR_LATENCY;}void Flash_Unlock(void){// FLASH->CR 的第7位为解锁的标志位或者上锁的操作位while(FLASH->CR FLASH_CR_LOCK){FLASH-> ...<全部>

单片机程序设计

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186

STM8S_007_片内FLASH和EEPROM编程

发布时间：2020-06-19

Ⅰ.写在前面我们都知道FLASH和EEPROM这两种存储器.但是大部分人了解的都是专门的FLASH和EEPROM芯片.如:W25Q16和ATAT24C08(外部)储存芯片. 外部存储芯片和本文说的内部FLASH和EEPROM最大的区别就是在于:内部FL ...<全部>

技术百科

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89

MSP430单片机对片内FLASH的读写操作程序范例

发布时间：2020-06-01

// 参数: wAddr 为地址 , 范围 0x1000~0xFFFFvoid ReadFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen) { while (bLen--) *bBuf++=*(U8 *)wAddr++; return; } void WriteFlash(U16 wAddr,U8 *bBuf,U8 bLen) { U8 ...<全部>

技术百科

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170

STM8S_ 007_片内FLASH和EEPROM编程

发布时间：2024-11-22

我们都知道FLASH和EEPROM这两种存储器.但是大部分人了解的都是专门的FLASH和EEPROM芯片.如:W25Q16和ATAT24C08(外部)储存芯片.外部存储芯片和本文说的内部FLASH和EEPROM最大的区别就是在于:内部FLASH和EEPROM ...<全部>

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