研发资源 > 标签 > 电能力
|相关技术

技术突破:LED芯片抗反向静电能力达到3 kV

 发布时间：2021-08-06
韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3 kV.来自韩国光技术院(KOPTI) 和光州科学技术院的研究人员声称:[这种LED芯片加工简便.可靠性高." 研究人员一直试图 ...<全部>
  • 80

技术突破:LED芯片抗反向静电能力达到3 kV

 发布时间：2024-12-23
韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3 kV.来自韩国光技术院(KOPTI) 和光州科学技术院的研究人员声称:[这种LED芯片加工简便.可靠性高."研究人员一 ...<全部>
  • 144
上一个 下一个
|最新活动
一颗引发行业变革的红外芯片

一颗引发行业变革的红外芯片
|相关标签
|热门文章
技术突破:LED芯片抗反向静电能力达到3 kV

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.