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技术突破:LED芯片抗反向静电能力达到3 kV

发布时间：2021-08-06

韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3 kV.来自韩国光技术院(KOPTI) 和光州科学技术院的研究人员声称:[这种LED芯片加工简便.可靠性高." 研究人员一直试图 ...<全部>

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技术突破:LED芯片抗反向静电能力达到3 kV

发布时间：2024-11-06

韩国研究人员通过在LED芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓LED的抗反向静电能力提高到了3 kV.来自韩国光技术院(KOPTI) 和光州科学技术院的研究人员声称:[这种LED芯片加工简便.可靠性高."研究人员一 ...<全部>

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