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SiC助力功率半导体器件的应用结温升高 将大大改变电动汽车的设计格局

 发布时间：2021-08-24
Yole Development 的市场调查报告表明.自硅功率半导体器件诞生以来.应用的需求一直推动着结温升高.目前已达到150℃.随着第三代宽禁带半导体器件(如SiC)出现以及日趋成熟和全面商业化普及.其独特的耐高温性能正 ...<全部>
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