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IGBT及其子器件的四种失效模式

 发布时间：2024-12-23
中心议题:IGBT及其子器件的四种失效模式解决方案:MOS栅击穿失效模式IGBT--MOS阈值电压漂移IGBT寿命期内有限次连续短路脉冲冲击的累积损伤静电放电保护用高压npn管的硅熔融1. 引言IGBT及其派生器件.例如:IGCT. ...<全部>
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