×
研发资源 > 标签 > 阈值电压漂移
|相关技术

IGBT及其子器件的四种失效模式

 发布时间：2024-11-05
中心议题:IGBT及其子器件的四种失效模式解决方案:MOS栅击穿失效模式IGBT--MOS阈值电压漂移IGBT寿命期内有限次连续短路脉冲冲击的累积损伤静电放电保护用高压npn管的硅熔融1. 引言IGBT及其派生器件.例如:IGCT. ...<全部>
  • 36
上一个 下一个
|最新活动
Ecosmos携手第二十六届高交会，开启元宇宙展会新纪元

Ecosmos携手第二十六届高交会，开启元宇宙展会新纪元
|相关标签

技术

硬件开发 EMC IC封装设计 射频RF 单片机IMCU 信号完整性 FPGA 电源 PCB设计 物联网 PCB工艺 PCBA

阅读

电子汇 最新资讯 EDA365原创吧

资源

公开课 研讨会 在线计算器

互动

论坛 外包
电巢APP下载电巢APP下载
关于我们 ｜ 手机版 ｜ EDA365电子论坛网 (粤ICP备18020198号)
GMT, 2020-03-13 09:00 , Processed in 0.109375 second(s), 13 queries , Gzip On.