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MOSFET开关损耗分析

 发布时间：2021-07-28
摘要:为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题.通过对MOSFET栅极电荷.极间电容的阐述和导通过程的解剖.定位了MOSFET开关损耗的来源.进 ...<全部>
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电源的缓启动电路设计及原理 (诺基亚西门子版本)

 发布时间：2024-11-03
在电信工业和微波电路设计领域.普遍使用MOS管控制冲击电流的方达到电流缓启动的目的.MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点.在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路.虽然电路比较简单.但只有吃 ...<全部>
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