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关于开关节点产生的开关损耗问题探讨

 发布时间：2024-01-02
关于开关节点产生的开关损耗问题探讨-同步整流降压转换器的同步开关(高边+低边)是对VIN和GND电压进行切换(ON/OFF).该过渡时间的功率乘以开关频率后的值即开关损耗. ...<全部>
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使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗

 发布时间：2022-08-26
对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言.碳化硅(SiC)MOSFET的高开关速度.高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力. ...<全部>
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MOSFET开关损耗分析

 发布时间：2021-07-28
摘要:为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题.通过对MOSFET栅极电荷.极间电容的阐述和导通过程的解剖.定位了MOSFET开关损耗的来源.进 ...<全部>
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开关电源的开关损耗

 发布时间：2021-06-10
基于电感的开关电源(SM-PS)包含一个功率开关.用于控制输入电源流经电感的电流.大多数开关电源设计选择MOSFET作开关(图1a中Q1).其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗. MOSFET完全打开时的导通 ...<全部>
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理解功率MOSFET的开关损耗

 发布时间：2020-07-09
本文详细分析计算开关损耗.并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程.从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET.MOSFET开关损耗1 开通过程中MOSFET开关损耗功率MOSFET的栅 ...<全部>
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MOSEFT分析:理解功率MOSFET的开关损耗

 发布时间：2020-06-29
本文详细分析计算开关损耗.并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程.从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET. MOSFET开关损耗 1 开通过程中MOSFET开关损耗 ...<全部>
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功率MOSFET的开关损耗的研究

 发布时间：2020-06-29
本文详细分析计算开关损耗.并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程.从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET. MOSFET开关损耗 1 开通过程中MOSFET开关损耗 功 ...<全部>
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利用屏蔽栅极功率 MOSFET 技术降低传导和开关损耗

 发布时间：2020-06-29
监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高.新的设计要求更低的导通阻抗.同时不能影响非钳位电感性开关(UIS)能力或者不增加开关损耗.屏蔽栅极MOSFET可为30-200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方案 ...<全部>
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理解功率MOSFET的开关损耗

 发布时间：2020-06-28
本文详细分析计算开关损耗.并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程.从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET.MOSFET开关损耗1 开通过程中MOSFET开关损耗功率MOSFET的栅 ...<全部>
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单周期控制三相PWM整流器在不对称电网下的研究

 发布时间：2020-06-20
传统的矢量模式单周期控制三相PWM整流器是基于对称电网系统下研究的.功率因数约为1.输入谐波低.且与双极型单周期控制相比.具有更低的开关损耗.当三相电网不对称时.三相输入电流跟踪电网电压的非零序分量.采用 ...<全部>
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