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用薄膜转移技术连接衬底和器件结构

 发布时间：2022-03-28
用薄膜转移技术连接衬底和器件结构绝缘体上外延硅(SOI)是用埋层二氧化硅(buried MOSFET的性能要求.已经有许多文献全面地论述了SOI增强部分耗尽器件和全耗尽器件的性能.减小器件的漏电流和功耗并适用于低压器件 ...<全部>
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