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中芯国际与台湾旺宏提出铜基电阻型RAM

 发布时间：2020-05-29
6月15-17日于夏威夷 由VLSI技术公司组织的讨论会上将听到两篇有关基于铜基的电阻型随机存储器(RAM)方面的报告. 其中一个研究小组来自上海复旦大学和中芯国际.它们提出采用铜与二氧化硅(CuxSiyO)的混合物.已经 ...<全部>
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