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Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175° C

 发布时间：2020-06-29
30V至150V漏源击穿电压的19款新MOSFET可将功率密度提高达85%,可靠性比额定结温为150° C业内标准值的MOSFET高三倍. 美国加州圣何塞 – 2015 年 3 月 18日 -全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild ( ...<全部>
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