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存储器
我国成功研制80纳米[万能存储器"核心器件
想必大家都曾经遭遇过电脑突然断电.因数据未及时保存后悔不已,或是因为手机待机时间太短而莫名焦虑--这些尴尬有望避免.记者日前获悉.北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工...
半导体生产
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存储器
80纳米
发布时间:2020-06-03
我国新型存储器材料研发取得重大突破
新华网上海11月15日电 中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队近期在国产新型存储器材料上取得重大突破.创新提出一种高速相变材料的设计思路.打破了国外技术壁垒.该成果近日在线发表于科学杂志.存...
半导体生产
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存储器
国产
发布时间:2020-06-03
海力士增资11亿美元实施44纳米技术升级
在全球集成电路存储器领域处于领先地位的无锡海力士-恒亿半导体有限公司迎来了又一次产品技术升级的契机.6月18日.韩国海力士株式会社与无锡新区在南京签约.将增资11亿美元用于扩大44纳米产品的产能.省委书记梁保...
半导体生产
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集成电路
存储器
海力士
44纳米
发布时间:2020-06-03
海力士计划明年投入26亿美元用于资本支出
韩国半导体制造商海力士(Hynix)表示.公司计划投入3万亿韩元(约合26亿美元)用于2011年资本支出.具体的投资规模取决于市场状况. 海力士2010年资本支出为3.38万亿韩元.关键字:海力士 资本支出 存储器...
半导体生产
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存储器
海力士
资本支出
发布时间:2020-06-03
淮安时代芯存相变存储器工厂启动运营
中国江苏网3月23日讯 昨日.我市举行集成电路产业现场推进暨江苏时代芯存半导体有限公司相变存储器工厂竣工运营启动仪式.省经信委副主任龚怀进.市领导姚晓东.蔡丽新.戚寿余.李晓雷等参加活动. 龚怀进代表省...
半导体生产
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存储器
半导体
发布时间:2020-06-03
物理所等在阻变存储器研究中取得进展
阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态(高阻态和低阻态)之间的互相转换来实现数据存储的.具有单元尺寸小.读写速度快.功耗低.制备工艺和器件结构简单等优点.理解高低组态相互转化的微...
半导体生产
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存储器
半导体
发布时间:2020-06-03
工信部电子司考察晋江集成电路产业及相关新兴产业
电子网消息.据晋江新闻网报道.7月19日.国家工信部电子司副司长彭红兵一行来晋考察集成电路产业及相关新兴产业发展情况.在福建省晋华存储器集成电路项目现场.工信部电子司一行了解了项目当前建设进度.总体规划...
半导体生产
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集成电路
存储器
发布时间:2020-06-03
Ramtron发布两款 V系列串口F-RAM存储器
非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布其新的并口和串口F-RAM系列增添两款产品.这些F-RAM器件提供高速读/写性能.低电压工作和可选器件特性....
半导体生产
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存储器
F-RAM
Ramtron
发布时间:2020-06-02
东芝发布40nm工艺SoC用低电压SRAM技术
东芝在[2010 Symposium on VLSI Technology"(2010年6月15-17日.美国夏威夷州檀香山)上.发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术.该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术.通过控...
半导体生产
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存储器
soc
DRAM
SRAM
40nm
NBTI
发布时间:2020-06-02
东芝存储器竞标案敲定美日韩合资联盟
由[美日韩联盟"的合资团队最终赢得东芝旗下半导体业务竞标案.该联盟的出价据称超过了东芝设定的180亿美元底标-东芝(Toshiba Corp.)在本周三(6月21 日)宣布.董事会选择由日本产业革新机构(INCJ).美国Bain Capital...
半导体生产
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存储器
东芝
东芝存储器
发布时间:2020-06-02
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