技术参数-EDA365

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NTD24N06LT4G的技术参数

产品型号:NTD24N06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45最大漏极电流Id(on)(A):24通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:24 A, 60 V功率MOSFET价格/1片(套):￥4.70...

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发布时间：2021-07-28

NTD23N03RT4G的技术参数

产品型号:NTD23N03RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):45最大漏极电流Id(on)(A):23通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~150描述:25V,23A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-28

NTD65N03RG的技术参数

产品型号:NTD65N03RG源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.400最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:25V,65A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

NTD60N03的技术参数

产品型号:NTD60N03源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:60A,28V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):￥6.70...

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发布时间：2021-07-27

NTD60N02RT4G的技术参数

产品型号:NTD60N02RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10.500最大漏极电流Id(on)(A):62通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:62A, 25V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.10...

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发布时间：2021-07-27

NTD5407NT4G的技术参数

产品型号:NTD5407NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):38通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:40V,38A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

NTD5406NT4G的技术参数

产品型号:NTD5406NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):70通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:40V,70A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

NTD5406NG的技术参数

产品型号:NTD5406NG源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):10最大漏极电流Id(on)(A):70通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:40V,70A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

UC2843BNG的技术参数

产品型号:UC2843BNG工作电压(V):7.6~30输出电压/电流(V/A):13.5/1.0振荡频率(Hz):500K(Max.)输出方式:电流模式封装/温度(℃):DIP8/-25~85描述:高性能电流模式控制器价格/1片(套):￥3.20...

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发布时间：2021-07-27

NTD60N02R的技术参数

产品型号:NTD60N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流Id(on)(A):60通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:60A,24V功率MOSFET价格/1片(套):￥5.40...

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发布时间：2021-07-27

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