技术参数-EDA365

研发资源 > 标签 > 技术参数

CY8C27243-24PVXI的技术参数

产品型号:CY8C27243-24PVXI工作电压(V):3.0~5.25速度(MHz):24Flash(字节):16KRAM(字节):256SMP:有数字PSoC模块:4-Basic 4-Comms模拟PSoC模块:12:4-CT 8-SCI/O:16封装/温度(℃):20(210 Mil)SSOP/-40~85价格/1片(套):暂...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

CY8C27443-12PVXE的技术参数

产品型号:CY8C27443-12PVXE工作电压(V):3.0~5.25速度(MHz):12Flash(字节):16KRAM(字节):256SMP:有数字PSoC模块:4-Basic 4-Comms模拟PSoC模块:12:4-CT 8-SCI/O:24封装/温度(℃):28(210 Mil)SSOP/-40~125价格/1片(套):...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

CY8C27143-24PXI的技术参数

产品型号:CY8C27143-24PXI工作电压(V):3.0~5.25速度(MHz):24Flash(字节):16KRAM(字节):256SMP:无数字PSoC模块:4-Basic 4-Comms模拟PSoC模块:12:4-CT 8-SCI/O:6封装/温度(℃):8(300 Mil)DIP/-40~85价格/1片(套):暂无...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

CY8C29466-24PVXI的技术参数

产品型号:CY8C29466-24PVXI工作电压(V):3.0~5.25速度(MHz):24Flash(字节):32KRAM(字节):2KSMP:有数字PSoC模块:8-Basic 8-Comms模拟PSoC模块:12:4-CT 8-SCI/O:24封装/温度(℃):28(210 Mil)SSOP/-40~85价格/1片(套):暂...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

CY8C26233-24PXI的技术参数

产品型号:CY8C26233-24PXI工作电压(V):3.0~5.25速度(MHz):24Flash(字节):8KRAM(字节):256SMP:有数字PSoC模块:4-Basic 4-Comms模拟PSoC模块:12:4-CT 8-SCI/O:16封装/温度(℃):20(300 Mil)DIP/-40~85价格/1片(套):暂无...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

CY8C25122-24PXI的技术参数

产品型号:CY8C25122-24PXI工作电压(V):3.0~5.25速度(MHz):24Flash(字节):4KRAM(字节):256SMP:无数字PSoC模块:4-Basic 4-Comms模拟PSoC模块:12:4-CT 8-SCI/O:6封装/温度(℃):8(300 Mil)DIP/-40~85价格/1片(套):暂无...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

CY8C24423A-24SXI的技术参数

产品型号:CY8C24423A-24SXI工作电压(V):2.4~5.25速度(MHz):24Flash(字节):4KRAM(字节):256SMP:有数字PSoC模块:2-Basic 2-Comms模拟PSoC模块:6:2-CT 4-SCI/O:24封装/温度(℃):28(300 Mil)SOIC/-40~85价格/1片(套):暂无...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

NTP45N06G的技术参数

产品型号:NTP45N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):45通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175描述:45A,60V功率MOSFET价格/1片(套):￥7.20...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

NTB4302T4G的技术参数

产品型号:NTB4302T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.300最大漏极电流Id(on)(A):74通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55 ~150描述:74 A, 30 V功率MOSFET价格/1片(套):￥6.40...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

NID6002NT4G的技术参数

产品型号:NID6002NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):210最大漏极电流Id(on)(A):6.500通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55~150描述:65 V, 6.5 A, 带过温和过流保护.N沟道FET价格/1片(...

技术百科

|

发布时间：2021-08-04

首页上一页 92 93 94 95 96 97 98 下一页尾页

EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！

EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！

|相关标签

|热门文章

LED技术参数符号介绍

圆形连接器的技术参数和构成

NCV317BD2TR4G的技术参数

工业CT技术参数对性能指标的影响

常用集成温度传感器的技术参数