技术参数-EDA365

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X60003DIG3-50T1的技术参数

产品型号:X60003DIG3-50T1输入电压(V):5.1~9.0输出电压(V):5初始精度:±5.0mV温度漂移:20ppm/℃工作电流:500nA封装/温度(℃):SOT23/-40~85价格/1片(套):￥10.98...

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发布时间：2021-07-29

ISL60002DIB825的技术参数

产品型号:ISL60002DIB825输入电压(V):2.7~5.5输出电压(V):2.500初始精度:±5.0mV温度漂移:20ppm/℃工作电流:400nA封装/温度(℃):SOIC8/-40~85价格/1片(套):￥12.98...

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发布时间：2021-07-29

NIF5002NT1的技术参数

产品型号:NIF5002NT1源漏极间雪崩电压VBR(V):42源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):200最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOT223/-55~175描述:自保护离散式,42V门限,具有过温和过流保护价格/1片(套):￥...

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发布时间：2021-07-29

NID9N05CLT4G的技术参数

产品型号:NID9N05CLT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):55源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):181最大漏极电流Id(on)(A):-通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~175描述:9 A, 52带ESD保护功率MOSFET价格/1片(套):￥2.10...

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发布时间：2021-07-29

NID9N05CL的技术参数

产品型号:NID9N05CL源漏极间雪崩电压VBR(V):55源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):181最大漏极电流Id(on)(A):-通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~175描述:自保护离散式,55V门限,ESD保护MOSFET价格/1片(套):￥2.80...

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发布时间：2021-07-29

1SS400T1G的技术参数

产品型号:1SS400T1G最小反向电压VR(V):100(Max)最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF ):3反向恢复时间trr(ns):4类型:单开关管封装/温度(℃):SOD52...

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发布时间：2021-07-29

1SS400T1的技术参数

产品型号:1SS400T1最小反向电压VR(V):100(Max)最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF ):3反向恢复时间trr(ns):4类型:单极性封装/温度(℃):SOD523/1...

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发布时间：2021-07-29

MSC1210EVM的技术参数

产品型号:MSC1210EVM支持器件:MSC1210系列描述:集成的开发环境(IDE)界面友好直观;C编译器界面;串口连接线;评估板支持编译下载功能;TICD-ROM光盘,包括:开发软件,编译应用程序,使用指南.价格/1片(套):￥1,298.00...

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发布时间：2021-07-29

TPS3809L30DBVT的技术参数

产品型号:TPS3809L30DBVT工作电压典型值(V):3复位门限 (V):2.640最小复位脉宽(ms):200低电平复位:√高电平复位:-看门狗时间(s):-独立看门狗输出:-掉电比较器:-手动复位输入:-备份电池切换:-工作电流Icc典型值(uA...

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发布时间：2021-07-29

uPSD3200MB的技术参数

产品型号:uPSD3200MB支持器件:uPSD3200全系列产品描述:uPSD3200多功能单片机实验系统母板及全套使用资料光盘价格/1片(套):￥498.00...

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发布时间：2021-07-29

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