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技术探讨
Vishay发布用于快速放电的具有集成电阻的新款表面贴装MLCC
受控的放电电容器采用低电致伸缩陶瓷配方.电压达1500VDC.容量为33nF-560nF宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 11 月17 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出采用一个集成电阻和...
分离器件设计
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Vishay
放电
快速
技术探讨
发布时间:2020-05-21
Vishay发布用于消费类产品遥控器的新款小型红外接收器
SMD器件提供5个AGC版本.最小发光强度为0.12mW/m2.灵敏度提高20%宾夕法尼亚.MALVERN - 2013 年 12 月13 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.对用于消费类产品中红外遥控应用的TS...
分离器件设计
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Vishay
消费
消费类
技术探讨
发布时间:2020-05-21
Vishay发布采用新工艺高性能CMOS模拟开关
器件导通电阻低至1.5Ω.具有11pF的CS(OFF)的低寄生电容.100ns的开关时间和0.033μW的功耗宾夕法尼亚.MALVERN - 2013 年 11 月5 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出具有1.5Ω...
分离器件设计
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Vishay
工艺
采用
技术探讨
发布时间:2020-05-21
Vishay推出业内首个155度工作双片电感器
Vishay推出业内首个可在155℃高温下工作的新款超薄双片电感器 该器件可配合D类放大器在高温下工作 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.发布其IHLD系列超薄.大电流双片电感器的首...
分离器件设计
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Vishay
技术探讨
工作
发布时间:2020-05-21
Vishay推出尺寸极小的新款低压模拟开关
器件采用节省空间的miniQFN封装.在2.7V下的最大导通电阻为0.6Ω宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 6 月 29 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出3款新型单极双掷(SPDT)和双路的...
分离器件设计
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Vishay
尺寸
技术探讨
极小
发布时间:2020-05-21
TI推出业内电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
2016年7月14日.北京讯德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管.电阻实现业内最低.比传统60-V负载开关低90%.同时.使终端系统功耗得以降低.CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装...
分离器件设计
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晶体管
二极管
技术探讨
发布时间:2020-05-21
UPS供电系统设计技术探讨
UPS作为重要的备用电源设备.已经在金融.通信等传统领域的数据中心得到了广泛的应用.随着大功率UPS制造技术的不断突破.UPS正逐步大量应用于制造业.工业等领域的自动化生产线和DCS.PLC系统中.UPS供电系统接地设...
分离器件设计
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ups
技术探讨
供电系统设计
发布时间:2020-05-21
TDK 集团最近推出了爱普科斯 (EPCOS) 新 X1 电容器系列
TDK 集团最近推出了爱普科斯 (EPCOS) 新 X1 电容器系列.该系列电容器工作电压高达 530 V AC.适用于 EMI 抑制电路中的 X1 位置(L-N).B32911*至 B32918*系列电容器电容 范围为 1 nF 至 5.6 µF.此外.该系列电容...
分离器件设计
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器件
tdk
爱普科斯
技术探讨
电容器系列
X1
发布时间:2020-05-21
ST推出9款车用功率MOSFET新产品
横跨多重电子应用领域.全球领先的汽车系统半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics.简称ST,纽约证券交易所代码:STM)推出9款全新汽车级功率MOSFET.进一步扩大STripFET™ VI DeepGATE™功率MOSFET产品组合.为...
分离器件设计
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MOSFET
功率
技术探讨
车用
发布时间:2020-05-21
TDK集团提供工业用大功率铝电解电容
TDK公司通过增大额定电压.扩大了爱普科斯(EPCOS) 铝电解电容器的电容范围.新型螺丝端子系列B43700* 和B43720*的直流电额定电压已经由原先的550V增至600V.这些电容器的电容范围从1200 µF到6800 µF.设计温度高达85...
分离器件设计
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功率
工业
集团
技术探讨
发布时间:2020-05-21
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第26届高交会元宇宙完美收官,数字化参会体验引爆全场
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Vishay
采用
MOSFET
中国
功率
电容器
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