技术探讨-EDA365

研发资源 > 标签 > 技术探讨

Power Integrations推出宽范围CAPZero-2 IC

Power Integrations推出宽范围CAPZero-2 IC.X电容安全放电可达6 µF 一个元件涵盖0.1 µF – 6 µF的X电容值,已预先通过安全认证,可安全处理高达6 kV的输入浪涌美国加利福尼亚州圣何塞.2015年5月19日讯 – ...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-21

NS推出业界首款100V半桥栅极驱动器

高度集成的半桥栅极驱动器提高了高压应用的功率密度和效率二零一一年六月二十一日 -- 中国讯 -- 美国国家半导体公司(National Semiconductor Corp.)(美国纽约证券交易所上市代码:NSM)今天宣布.推出业界首款针...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-21

GaN Systems首次于中国亮相市场上电流能力最高的器件60A GaN

新款 GS66516T 650V 增强型功率开关采用上层冷却.低电感 GaNPX™ 封装和超低 FOM Island Technology™.是高频率和高效功率转换的完美选择安大略省.渥太华 -- 2015 年 6 月 24 日 -- 氮化镓功率开关半导体领先...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-21

electronica China2016前瞻:尼吉康用技术描述未来

2016年我们面临的问题和话题点很多.归纳之后总结为持续的改善地球大气环境.便捷国民生活的智能家居家电和医疗设备.新能源工业控制.电动混动+智能驾驶物联网络的汽车生活等等市场布局.作为无源元件巨头.尼吉康...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-21

Diodes 全新 MOSFET 组合可减少直流电机损耗

Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD.可用于低压单相/三相无刷直流(BLDC)电机控制应用.该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻(Rdson)性能.以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减...

分离器件设计

|

发布时间：2020-05-21

现有的FTTH技术探讨分析

1.背景首先.随着用户对宽带接入提出越来越高的要求.现有的宽带接入方式.如ADSL和LAN接入.由于存在传输距离短.接入带宽有限.安全性不高.QoS没有很好的保证等问题.已越来越不能满足用户的需求.第...

其他资讯

|

FTTH
技术探讨

发布时间：2024-11-22

首页上一页 5 6 7 8

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

|相关标签

|热门文章

Power Integrations推出宽范围CAPZero-2 IC

新颖的电流临界导通的功率因数校正芯片的研究

Vishay推出通过JAN认证的N沟道功率MOSFET

Vishay发布采用新工艺高性能CMOS模拟开关

Diodes 全新 MOSFET 组合可减少直流电机损耗