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FlaSh
STM32如何定义变量到FLASH ROM中
看逻辑地址是否统一编址.FLASH,RAM在同一个逻辑地址空间的.都是直接用用const.如arm,stm8,msp430等.FLASH,RAM逻辑地址空间分开的.要用其它办法.通常是特殊关键字.__flash.__code等.如AVR.8051等.注:cons...
单片机程序设计
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STM32
FlaSh
发布时间:2020-08-27
单片机中的三大内部资源的功能介绍
在这里我所讲到的单片机内部资源.和传统单片机书籍中讲单片机内部结构不同.我这里讲到的内部资源.是指作为单片机用户.单片机提供给我们可使用的东西.总结起来.主要是三大资源:Flash:程序存储空间.早期单片...
单片机程序设计
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单片机
FlaSh
发布时间:2020-08-27
ARM代码域和段的概念
一般的可执行程序都包括代码段.数据段.也可以简单的看作由两部分组成:RO段和RW段.RO段一般包括代码段和一些常量.在运行的时候是只读的.而RW段包括一些全局变量和静态变量.在运行的时候是可以改变的(读写)....
嵌入式开发
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ARM
FlaSh
发布时间:2020-08-27
ARM9(2440)对nand flash的读写操作
s3c2440对nandflash的操作(K9F2G08) nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用.相对于norflash.它具有一些优势.但它的一个劣势是很容易产生坏块.因此在使用nandflash时.往往要利用校验算法发现坏块并标...
单片机程序设计
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FlaSh
NAND
读写操作
ARM9(2440)
发布时间:2020-08-26
STM32F4知识:Flash如何设置成读保护
1.目的在实际的产品发布中.如果不对储存在单片机Flash中的程序做一些保护的话.就有可能被一些不法公司.通过仿真器(J-Link.ST-Link等)把Flash中的程序读取回来.得到bin文件或hex文件.然后去山寨产品.所以我...
单片机程序设计
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FlaSh
STM32F4
发布时间:2020-08-26
RAM long数据数据烧写到0x1800 Flash中的方法
从RAM地址0x0200中读取一个long数据.并烧写至地址为0x1800的Flash中. 代码: 题目二 从RAM地址0x0200开始读取一个长度为8的字符数组.并烧写至地址为0x1800的Flash中. 仿真图: ...
单片机程序设计
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FlaSh
RAM
烧写
发布时间:2020-08-26
STM32配置时钟时注意设置FLASH等待周期
兴致勃勃地把复位及时钟控制(RCC)的寄存器定义写完了.没得午觉睡倒算了.还累得满头大汗--看来这事有点吃力不讨好.真想用别人现成的头文件算了.最后还是咬咬牙自己写吧.至少可以让自己对寄存器结构熟悉一些. ...
单片机程序设计
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STM32
FlaSh
配置时钟
等待周期
发布时间:2020-08-26
avr的flash和ram存放的数据问题
简介:本文介绍了AVR单片机内flash和RAM存放数据的区别以及使用等内容.avr单片机是基于哈佛结构.它的程序存储器和数据存储器分开.avr的Flash存储器空间存放的内容有:(1)text:程序代码区(2)interrupt vectors:存...
单片机程序设计
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FlaSh
avr
数据问题
ram存放
发布时间:2020-08-26
S3C44B0X烧写flash 的经验
使用软件flashpgm2.2.4软件安装完成后出现问题.打开软件出现错误提示:NT Driver not found: MAC_MOT.SYS解决办法:通过路径WINDOWS/system32/drivers.找到MAC_MOT.SYS文件.将MAC_MOT.SYS文件复制到安装flashpgm...
嵌入式开发
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FlaSh
S3C44B0X
发布时间:2020-08-26
第51章 设置FLASH的读写保护及解除--零死角玩转STM32-F429系列
本章参考资料:STM32F4xx 中文参考手册.STM32F4xx规格书.库说明文档stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm以及Proprietary code read-out protection on microcontrollers.51.1 选项字节与读写保护...
单片机程序设计
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FlaSh
读写保护
STM32-F429系列
发布时间:2020-08-26
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