MOSFET-EDA365

研发资源 > 标签 > MOSFET

Diodes Incorporated 推出符合车用规范 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET

Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出符合车用规范的 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET....

电源

|

发布时间：2021-05-19

采用额外的肖特基二极管减少干扰

在负载点(POL)降压转换器领域.同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用....

电源

|

发布时间：2021-05-18

高速同步MOSFET驱动器LTC4449的性能特点及适用范围

高速同步MOSFET驱动器LTC4449的性能特点及适用范围-凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出的高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449.该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计.这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器.该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器....

模拟电子

|

发布时间：2021-05-13

实现具有更高击穿电压和更低待机电流的离线辅助PSU电源装置

如今.对能源效率的需求影响着自动化的所有领域.这包括各种白色家电.它们是在家庭自动化概念与如今完全不同的时代构想出来的.几十年前.当我们开始依赖这些设备时.能源的经济和环境成本没有消费者便利性那么重要.但这种不平衡最近发生了改变.如今人们正在努力加以解决....

电源

|

发布时间：2021-05-12

意法半导体第二代SiC功率MOSFET实现更高转换效率

意法半导体(ST)推出了第二代SiC功率MosFET.具有单位面积极低的导通电阻(RDSon)和优良的开关性能.开关损耗在结温范围内几乎没有变化.ST提供广泛的第二代S MOSFET:额定击穿电压值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G...

模拟器件

|

发布时间：2021-05-12

MOSFET面临缺货.8英寸晶圆代工产能吃紧

8英寸晶圆代工产能紧缺和涨价引发的[多米诺骨牌"效应正在向全行业传导:设计厂商等不到产能或面临客户流失风险.该如何自救?上游的产能紧缺和涨价对下游的代理.模组.终端厂商影响几何?为此.集微网特推出晶圆代...

半导体生产

|

MOSFET
5g

发布时间：2021-05-11

高频开关电源原理

高频开关电源.又称交换式电源.开关变换器以及开关型整流器SMR.它是一种高频化电能转换装置....

电源

|

发布时间：2021-05-07

FS4 IGBT和整流器的电动汽车快速充电电路设计

插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统.可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电.充电(应用)要求在高温环境下具有高电压.高电流和高性能.开发高能效.高性能.具丰富保护功能的充电桩...

模拟电路设计

|

MOSFET
igbt

发布时间：2021-04-26

采用MC33262 PFC控制芯片实现高功率因数校正电路的应用设计

采用MC33262 PFC控制芯片实现高功率因数校正电路的应用设计-MC33262 芯片内部含有自起动定时器.一象限乘法器.误差放大器.电流检测比较器.零电流检测器.图腾柱驱动输出以及过压.欠压等保护电路.具体内部结构框图见图1 所示.图中1-8 分别表示芯片引脚号. V ref为参考电压....

模拟电子

|

发布时间：2021-04-20

大功率宽带MOSFET运算放大器PA85的性能特点和典型应用分析

大功率宽带MOSFET运算放大器PA85的性能特点和典型应用分析-PA85是Apex公司生产的高电压.大功率宽带MOSFET运算放大器.它在安全操作区(SOA)没有二次击穿的限制.通过选择合适的限流电阻可在任何负载下选择适当的内部功耗.PA85可适应较大的电源电压范围并达到很好的电源电压抑制.MOSFET输出级可偏置成线性运放,用户通过外接补偿可轻松的使用PA85....

模拟电子

|

发布时间：2021-04-19

首页上一页 9 10 11 12 13 14 15 下一页尾页

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

|相关标签

|热门文章

利用单个反馈源实现任意量级偏置电流网络

Vishay发布助客户进一步节约器件占位空间和系统成本的解决方案的视频教程

使用小型缓冲器来解决快速切换问题（超实用干货）

功率半导体充当节能先锋中国企业加快步伐

IR推出基准工业级30V MOSFET