MOSFET-EDA365

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同步整流降压式DC-DC变换器应怎样选择MOSFET?

功率器件MOSFET在很多电路系统的设计中都得到了广泛的应用.而对于同步整流降压式的DC-DC变换器来说.怎样选择合适的MOSFET则是非常重要的一环.需要研发人员认真对待.本文将会就同步整流降压型的变换器如何选择MOS...

电源应用

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发布时间：2020-11-26

英飞凌推出针对体二极管硬式整流进行了优化的快速二极管

英飞凌科技股份公司日前推出200V和250V OptiMOSTM FD.进一步完善了中压产品组合.作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新一代功率MOSFET.这些器件更加可靠耐用.具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗.有...

接口

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发布时间：2020-11-23

开关电源设计:何时使用BJT而非MOSFET?

MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件.但在一些实例中.与MOSFET相比.双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势.特别是在离线电源中.成本和高电压(大于 1kV)是使用BJT而非MOSFET的两大理由.本文引用...

电源应用

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发布时间：2020-11-20

Diodes全新100V MOSFET优化以太网供电应用

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作为符合IEEE 802.3标准的48V以太网供电 (PoE) 系统的开关.能够通过以太网线缆向无线接入点.VoIP网络电话.销售点终端.呼叫系统.IP网络监控镜头...

模拟器件

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MOSFET
Diodes

发布时间：2020-11-12

POWER MOSFET驱动电路应用实例

1.主要参数及特性MOSFET是由电压控制型器件.输入栅极电压VG控制着漏极电流ID.即一定条件下.漏极电流ID取决于栅极电压VG.极限参数有:最大漏源电压VDS.最大栅源电压VGS.最大漏极电流ID.最大功耗PD.在使用中不...

驱动

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MOSFET
驱动电路

发布时间：2020-11-10

6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

由于不间断电源的兴起.IGBT技术得以飞速发展.IGBT的特点是具有电流拖尾效应.因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格.需要负压驱动进行辅助.当MOSFET作用在电路中时.由于MOSFET速度比较快.因此关断过程...

电源应用

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发布时间：2020-11-09

开关电源技术产业链发展状况分析

开关电源是利用现代电力电子技术.控制开关管开通和关断的时间比率.维持稳定输出电压的一种电源.开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成.随着电力电子技术的发展和创新.使得开关电源技术也在不断地创...

电源应用

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发布时间：2020-11-06

飞兆半导体3.3x3.3mm2 Power Clip非对称双MOSFET

随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能.电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战.飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V.3.3x3.3mm2低侧高...

电源硬件技术

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发布时间：2020-11-03

汽车级N沟道MOSFET SQJQ480E

功率MOSFET是众多汽车子系统的重要组成部分.其能够帮助实现各种各样的功能.包括负载切换.电机控制以及DC/DC转换等.SQJQ480E的意义在于它可以处理与更大功率的MOSFET相同的功能.实际上.其 PowerPAK 8x8L 封装比...

电源应用

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发布时间：2020-10-27

TI 推出在高电流下实现高效率的同步 MOSFET 半桥

德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥.其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%.TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET ...

电源硬件技术

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发布时间：2020-10-26

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