MOSFET-EDA365

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ST推微欧功率MOSFET晶体管.提高并联服务器电源能效

最新技术使导通电阻达到了业内最低水平.有利于MOSFET OR-ing应用中国.2007年11月30日 - 意法半导体(纽约证券交易所:STM)今天推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET.这款新产品的特性是导通电阻极低.达到...

电源滤波器

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发布时间：2020-09-17

安森美功率MOSFET优化DC-DC转换

安森美半导体推出12款新的功率MOSFET器件.优化直流-直流(dc-dc)转换.并降低关键电平的功率损耗.这些MOSFET适用于笔记本电脑.台式电脑和游戏机等计算应用中的高低端开关.如中央处理器(CPU).图形处理器(GPU)和系...

电源滤波器

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发布时间：2020-09-17

MOSFET音频输出级的自偏压电路

AB类输出级精度不高可能有下列几个原因:·栅极阈值电压变化与VGS温度系数变化引起的MOSFET与双极管间相对温度系数的失配.·输出器件与检测器件间耦合的延迟与衰减.·驱动器工作在不同的温度.·调整单个放大器偏压时...

模拟电路设计

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发布时间：2020-09-17

硬件工程师必须要掌握这四招.Boost电路会更安全!

电源最常见的三种结构布局是降压(buck).升压(boost)和降压–升压(buck-boost).这三种布局都不是相互隔离的.今天介绍的主角是boost升压电路.the boost converter(或者叫step-up converter).是一种常见的...

模拟电路设计

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发布时间：2020-09-14

封装寄生电感是否会影响MOSFET性能?

I.引言高效率已成为开关电源(SMPS)设计的必需要求.为了达成这一要求.越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件.举例来说....

接口

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MOSFET
寄生电感

发布时间：2020-09-14

MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能

一个采用DirectFETMOSFET并基于四相同步整流器的VRM能够于高达2MHz/相位下工作.并提供120A电流.且满足负载点电源的瞬态响应要求. 与十年之前以单元密度和导通电阻作为器件设计的主要考虑因素相比.功率MOS...

接口

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发布时间：2020-09-10

MOSFET管并联应用时电流分配不均问题探究

1 引言MOSFET管的导通电阻具有正的温度特性.可自动调节电流.因而易于并联应用.但由于器件自身参数(栅极电路参数及漏源极电路参数不一致)原因.并联应用功率MOSFET管会产生电流分配不均的问题.关于此问题.已有文...

电源应用

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发布时间：2020-09-09

基于C3M0075120D SiC MOSFET的高效率电源转换电路设计

随着电源要求.法规管制以及效率标准和 EMI 要求的日趋严格.电源越来越需要采用开关功率器件.因为开关功率器件效率更高且工作范围更宽.与此同时.设计人员持续承受着降低成本和节省空间的压力.面对这些需求.需...

模拟电路设计

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发布时间：2020-09-08

高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器满足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并适合狭小的安

随着汽车中电子系统数量的成倍增加.车内产生电磁干扰的风险也大幅升高了.因此.新式车辆中的电子产品常常必须符合 CISPR 25 Class 5 EMI 测试标准.该标准对传导型和辐射型 EMI 发射做了严格的限制.由于其本...

电源应用

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MOSFET
LT8650S

发布时间：2020-09-08

如何通过提升开关电源的EMI特性来改善整个电路的EMI性能

为提高开关电源的功率密度.电源工程师首先想到的办法是选择开关频率更高的MOSFET.通过提高开关速度可以显著地减小输出滤波器体积.从而在单位体积内可实现更高的功率等级.但是随着开关频率的提高.会带来EMI特性...

ESD

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发布时间：2020-09-07

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