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MOSFET
探讨1200 V 碳化硅 MOSFET的稳固性
碳化硅MOSFET是功率转换器效率最大化的最佳解决方案吗? 本文探讨了最近在1200 V.80mΩ碳化硅MOSFET上进行的研究.突出了其短路能力. 碳化硅(SiC)MOSFET具有极高的开关损耗.可最大限度地提高功率转换器的效率. ...
模拟器件
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MOSFET
碳化硅
发布时间:2020-09-04
安森美半导体的碳化硅(SiC)功率模块 将支持台达的太阳能光伏逆变器
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor).推出一款适用于 太阳能逆变器应用 的 全SiC功率模块 .该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用.用于支持其M70A三相光伏组串逆变器. NXH40B120MNQ系...
接口
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MOSFET
SiC
发布时间:2020-09-04
同步降压 MOSFET 电阻比的正确选择
进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点.通常.作为设计过程的一个组成部分.你会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范.并且需要选择一些 FET.另外.如果你是一名 IC 设计人员...
接口
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MOSFET
FET
发布时间:2020-09-04
满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品
世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业.产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链.包括:电子级碳化硅高纯粉料.碳化硅单晶衬底片.碳化硅外延片.碳化硅功率器件.功率模块和...
接口
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MOSFET
新能源汽车
发布时间:2020-09-04
Vishay业界领先车规产品将在2019 Automotive World日本展上悉数亮相
2019年1月11日-日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.将在1月16日-18日于东京有明国际展览中心举行的2019 Automotive World日本国际汽车展上.展示其全面丰富的车规产品.Vishay展位设...
接口
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MOSFET
转换器
Vishay
发布时间:2020-09-01
Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平
日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件.Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %.为通信.工业和企业级...
接口
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MOSFET
Vishay
发布时间:2020-09-01
Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器.提高逆变器级工作效率
日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A.扩展其光电产品组合.Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装.低压降输出电流损耗...
接口
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MOSFET
Vishay
发布时间:2020-08-28
贸泽开售STMicroelectronics MDmesh M6高效超结MOSFET
专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管.MDmesh M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转...
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MOSFET
贸泽
STMicroelectronics
发布时间:2020-08-28
SiC MOSFET ;SCT3xxxxxHR系列又增10个机型. 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiCMOSFET※3)[SCT3xxxxxHR系列"共10个机型.该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2).而且产品阵容丰富.拥有13个机...
接口
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MOSFET
SiC
Rohm
发布时间:2020-08-27
ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET [SCT3xxx xR
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都).开发出6款沟槽栅结构※1)SiCMOSFET [SCT3xxx xR系列"产品(650V/1200V耐压).非常适用于要求高效率的服务器用电源.太阳能逆变器及电动汽车的充电站等.此次新开发...
电源应用
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MOSFET
SiC
发布时间:2020-08-14
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