MOSFET-EDA365

研发资源 > 标签 > MOSFET

Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET

日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN.Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Silic...

技术百科

|

MOSFET
Si7655DN

发布时间：2020-06-17

基于FAN7710V的新型高性能节能灯镇流器电路设计

引言在照明技术中.电子节能灯已经日益成为人们的首选.因为其应用范围广.节能环保性能好.是政府和企业节能减排的重要举措之一.在近几年中.我国为了推广电子节能灯的应用.采取了财政补贴政策.就像家电下乡一样...

嵌入式开发

|

发布时间：2020-06-17

高速同步MOSFET 驱动器

凌力尔特公司推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1.该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET.这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC 控制器之一相结合.可形成一个完整的...

技术百科

|

发布时间：2020-06-17

简易锂电池保护IC测试电路的设计

由于锂电池的体积密度.能量密度高.并有高达4.2V的单节电池电压.因此在手机.PDA和数码相机等便携式电子产品中获得了广泛的应用.为了确保使用的安全性.锂电池在应用中必须有相应的电池管理电路来防止电池的过充...

技术百科

|

发布时间：2020-06-17

为什么MOSFET栅极前要放100 Ω 电阻?为什么是 100 Ω?

为了稳定性.必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗?只要问任何经验丰富的电气工程师--如我们今天故事里的教授 Gureux --在 MOSFET 栅极前要放什么.你很可能会听到[一个约 100 Ω 的电阻".虽然我们对这个问题...

技术百科

|

发布时间：2020-06-17

基于电感升压开关型变换器的LED驱动电路设计

一.基本电路拓扑与工作原理基于电感升压开关型变换器的LED驱动电路广泛应用于电池供电的消费类便携电子设备的背光照明中.电感升压变换器基本电路拓扑主要由升压电感器(L1 ).功率开关MOSFET( VT1).控制电路...

技术百科

|

发布时间：2020-06-16

利用MCU的内部振荡器为电源增加智能控制,

传统上.开关电源(SMPS)是用一个基本的模拟控制环路来实现的.但数字信号控制器(DSC)技术的最新发展使得采用全数字控制机制的设计变得非常实用和经济.但是.预计全数字控制技术将最初应用在高端产品中.因为在...

技术百科

|

发布时间：2020-06-16

什么是云电源?

云电源是描述用于传输.存储和处理云数据的设备的电源的通用术语.在电信或传输应用中.云电源将为基带单元和远程无线电单元供电.用于存储和处理的服务器机群还需要大型不间断电源.以确保在暂时断电时用户仍可访问...

技术百科

|

MOSFET
云电源

发布时间：2020-06-16

Vishay发布2014年[Super 12"明星产品

宾夕法尼亚.MALVERN - 2014 年 3 月11 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.发布其2014年[Super 12"明星产品.每年.Vishay都会挑出12款采用全新技术.能够大幅提高终端产品和系统...

技术百科

|

发布时间：2020-06-15

五种要素让你的LED驱动具备高可靠性

要普及LED灯具不但需要大幅度降低成本.还需要解决技术性的问题.如何解决能效和可靠性这些难题.PowerIntegrations市场营销副总裁DougBailey分享了高效高可靠LED驱动设计的心得. 一.不要使用双极型功率器件 ...

技术百科

|

MOSFET
led驱动

发布时间：2020-06-15

首页上一页 36 37 38 39 40 41 42 下一页尾页

EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！

EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！

|相关标签

|热门文章

Diodes全新100V MOSFET优化以太网供电应用

意法半导体推 PWD13F60 节省电路板空间60% 还能提升最终应用的功率密度

LLC谐振转换器中怎样做才不会出现MOSFET故障

令电子工程师又怕又恨，板子上MOS管真的能持续安全工作吗？

Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET