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东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET

东京-东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列.这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构.实现了最高级别的低导通电阻和高速转换.该系列产品计划于6月底...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

集成快速体二极管的650V MOSFET[英飞凌]

2011年2月14日.德国纽必堡讯--2011年1月19日.英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线.这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商.通过不断改进芯片架构.使得CoolMOS™ 晶...

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发布时间：2020-05-23

面向汽车应用.具最低通态电阻的30V功率MOSFET

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管).全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件.在10V栅...

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发布时间：2020-05-23

英飞凌推出低FOM的OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列

为提高计算和电信产品的能效.英飞凌科技股份公司宣布.公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上.推出OptiMOS 25V器件系列.壮大OptiMOS功率 MOSFET产品阵容.该系列器件经过优化.适合应用于计算机服务器电...

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发布时间：2020-05-23

性价比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

Si MOSFET管因为其输入阻抗高.随着其反向耐压的提高.通态电阻也急剧上升.从而限制了其在高压场合的应用.SiC作为一种宽禁代半导体器件.具有饱和电子漂移速度高.电场击穿强度高.介电常数低和热导率高等特性.世...

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发布时间：2020-05-23

二次侧同步整流 MOSFET 驱动器问市

Diodes Incorporated 为高质量应用特定标准产品全球制造商和供货商.其产品涵盖广泛领域.包括独立.逻辑.模拟和混合讯号半导体等市场.该公司今日宣布推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器.可将 AC 电源转成...

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发布时间：2020-05-23

用电流检测和MOSFET提升输出电流

以前有篇设计实例描述了一种可编程电流源.使用的是美国国家半导体公司的LM317可调三端稳压器(参考文献1).虽然该电路可以编程设定输出电流.但负载电流要流经BCD(二-十进制)开关.不过.你会发现很难买到能承受...

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发布时间：2020-05-23

瑞萨电子推出N0413N和N0601N功率MOSFET

2011年7月19日日本东京讯 - 高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子公司(TSE:6723.以下简称[瑞萨电子")宣布开发面向消费类产品(如无线电动工具和电动自行车)中电机驱动的100A大电流功率MOSFET.以便加强公司的整...

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发布时间：2020-05-23

瑞萨电子推出新型功率MOSFET 性能升40%

高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社(TSE:6723.以下简称瑞萨电子)已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET(金属氧化物半导体晶体管)产品-- RJK0210DPA.RJK0211DPA和RJK0212DPA.新产品作为面向DC/D...

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发布时间：2020-05-23

瑞萨MOSFET提升电源供应输出电流

瑞萨科技(Renesas)推出Dual-Type功率的MOSFET RJK0383DPA.结合两个不同类型的功率MOSFET组成同步整流DC/DC转换器.并采用低耗损且先进的第十代制程.提供91.6%的电源供应效率.约可提高7%的电源供应效率.相较于瑞...

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发布时间：2020-05-23

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