Vishay-EDA365

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用于国防领域的高可靠性模拟复用器[Vishay]

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 2 月 15 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出8通道单端模拟复用器高可靠性DG408.扩充其按照MIL-PRF-38535规范进行筛选的模拟开关和复用器系列. 2010年6月.Vishay ...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

电感器:业内首款采用3232外形尺寸[Vishay]

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 30 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出新款IHLP®低外形.高电流电感器--- IHLP-3232DZ-11.该器件在同类器件当中首次采用3232外形尺寸.IHLP-3232DZ-11的占位面...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

Vishay发布2011年Super 12特色产品

2011 年 5 月 18 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.Vishay发布2011年的[Super 12"特色产品.这些元器件具有业界领先的规格标准.如导通电阻.导通电阻与栅极电荷乘积(FOM).温度...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

铝电容器超长使用寿命[Vishay]

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 4 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新系列螺旋式接线柱功率铝电容器---104 PHL-ST.该款电容器在+105℃下的使用寿命长达5000小时.在+1...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

Vishay推出新款高可靠性贴片式电容器

2011 年 5 月 3 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新系列HI TMP® TANTAMOUNT®表面贴装固钽贴片式电容器--- TH5.在业内首次在12V或21V下使容值达到10µF.可在+200℃可连续工...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

最小型的TrenchFET功率MOSFET[Vishay]

SiA444DJT在2mmx2mm占位面积内具有N沟道MOSFET当中最低的外形,SiA429DJT是具有最低导通电阻且高度只有0.8mm的P沟道器件宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 14 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE ...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

Siliconix的新款N沟道功率MOSFET[Vishay]

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 31 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc. 宣布.发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP.两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装.具有业内最低...

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发布时间：2020-06-29

COTS系列固钽贴片电容器[Vishay]

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 3 月 17 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出新款表面贴装Hi-Rel COTS系列固钽贴片电容器.这些电容器提供威布尔分级.符合per MIL PRF 55365标准的浪涌电流测试选项...

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发布时间：2020-06-29

Vishay推出业内首个4接头.1W的检流电阻

Vishay推出业内首个4接头.1W的检流电阻器件采用0612封装尺寸.阻值为0.5 mΩ-5 mΩ宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 9 月5 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新款表面贴装Powe...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

Vishay Siliconix 的新型三输出降压控制器IC

日前.Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出一款新型高性能三输出降压控制器 IC --- SiP12203.该器件可在机顶盒.基站.墙壁适配器.消费类电子设备及网络中间总线直流输入电源中实现高效的电源转换. 在DSP.ASIC...

模拟器件

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发布时间：2020-06-24

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第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

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