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新型IGBT软开关在应用中的损耗分析

本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT.并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步.IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度.以及利用[场终...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-01

下桥臂IGBT驱动电路图-原理图

在利用下臂驱动器驱动比150A／1200V更大的IGBT时.可外接电流缓冲器.以扩大其驱动能力.由图2的工作时序可知.当DESAT端电压超过7V时.产生过流.IGBT下桥臂的驱动电路图如图3所示.图3中电源+5V.VB+.VB-(VB+与V...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-01

在低功率压缩机驱动电路内.意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术能效比较

摘要电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效.尺寸和稳健性的要求越来越高.为满足市场需求.意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术.例如.IGBT和最新的超结功率MOSFET.本文在实际工况下的一个低功耗电机...

嵌入式开发

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发布时间：2020-06-30

基于双IGBT的斩波式串级调速系统的研究

1 引言目前工业生产中普遍采用的PWM变频调速属于精型调速.而对风机.泵类负载采用变频调速.其逆变器功率为全功率.若采用串级调速方法.则其逆变器功率仅仅为全功率的1/2-l/3.串级调速系统还具有装置安全.可靠...

模拟电路设计

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发布时间：2020-06-30

IGBT基本结构及电路图

IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的.在VDMOS结构的漏极侧N+层下.增加一个P+层发射极而行程pn.如图1-31所示.就构成IGBT....

模拟电路设计

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发布时间：2020-06-30

IGBT静态特性与参数及电路图

IGBT的静态特性包括伏安特性.转移特性和静态开关特性.IGBT的伏安特性如图1-33所示.与GTR的伏安特性基本相似.不同的是.控制参数是栅源电压.而不是基极电流....

模拟电路设计

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发布时间：2020-06-30

IGBT的保护及电路图

IGBT的保护措施.主要包括过压保护和过流保护两类.使用中.对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压.可以采用适当的缓冲回路抑制它.使器件免于损坏....

模拟电路设计

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发布时间：2020-06-30

IGBT功率元件的应用及保护技术

1 引言随着半导体元件制造工艺的完善和制造技术的提高.半导体功率元件正朝着大电流.高电压.快通断.功耗小.易保护.模块化方向发展.现已出现了双极性晶体管GTR.功率场效应管MOSFET.功率绝缘栅控双极性晶体管I...

模拟电路设计

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发布时间：2020-06-30

IGBT变频电源电路

J S 为软启动控制,避免上电时浪涌电流对整流模块的冲击.IGBT变频电源电路:...

模拟电路设计

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发布时间：2020-06-30

在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较

开关电源 (Switch Mode Power Supply,SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择.即开关管和整流器.虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题.但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

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