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IGBT及其子器件的四种失效模式比较

1. 引言IGBT及其派生器件.例如:IGCT.是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件.因此.IGBT的失效模式.既有其子器件MOS和双极的特有失效模式.还有混合型特有的失效模式.MOS是静电极敏感器件.因此.IGBT也是静...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

IGBT 模块应用指南基本知识(经典)

IGBT是绝缘栅双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor),它是八十年代初诞生.九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件.IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身.既有输入阻抗高.速度快.热稳定性好.电压驱动...

分离器件设计

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igbt
模块

发布时间：2020-06-29

一种简单的IGBT驱动和过流保护电路

一引言绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor.IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件.因此.它既具有MOSFET的工作速度快.开关频率高.输入阻抗高.驱动电路简单.热温度性好的优点.又包含了GTR的载...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

优化高电压IGBT造就高效率太阳能逆变器

随着绿色电力运动势头不减.包括家电.照明和电动工具等应用.以至其他工业用设备都在尽可能地利用太阳能的优点.为了有效地满足这些产品的需求.电源设计师正通过最少数量的器件.高度可靠性和耐用性.以高效率把太...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

二极管+IGBT:新架构能带来什么新应用?

由于现在经济的快速发展.能源的消耗也是急剧增加.我们如何去减少能源的损耗做到节能减排?这就要求我们的产品有一个更高的效率.更低的成本.而对于一个高性能的系统来说.半导体器件的选择尤为重要.今天我给大家...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

变流器核心器件MOSFET与IGBT

利用多年的实例总结了一些经验拿来和大家分享.有关变流器的核心器件-MOSFET和IGBT.MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛.最重要的两类核心器件.MOSFET主要应用在低压和中压(中小功率).IGBT主要应用在高压和...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

IGBT 系统设计全攻略[详细]

详解IGBT系统[图文] IGBT.中文名字为绝缘栅双极型晶体管.它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件.既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应).又有双极型器件饱和...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

IGBT制作全过程

设计思路:主变压器用EC-35铁氧体磁芯.初级0.2X20mm铜皮3T+3T.次级0.44漆包线45X4共180T分四段再串联.这样12V输入开环大约有 720V输出.因高压电解选330UF/330v两个串联.高压就设计在稳压600V.保证高压电解的安...

模拟电路设计

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制作

发布时间：2020-06-29

基于IGBT设计UPS的技术方案

在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管.功率MOSFET.可控硅和IGBT.IGBT既有功率MOSFET易于驱动.控制简单.开关频率高的优点.又有功率晶体管的导通电压低.通态电流大的优点.使用IGBT成为UPS 功率设计的首选...

模拟电路设计

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发布时间：2020-06-29

IGBT的结构与各种保护设计方法详解

绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor-IGBT或IGT)GTR和MOSFET复合.结合二者的优点.具有好的特性.80年代中期问世以来.逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场.中小功率电力电子设备的主导器件.IGB...

模拟电路设计

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发布时间：2020-06-28

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第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

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