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英飞凌科技股份公司推出650 V关断电压的CoolSiC™Hybrid IGBT单管。新款CoolSiC™Hybrid IGBT结合了650 V TRENCHSTOP™5IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点，具有出色的开关频率和更低的开关损耗，特别适用于DC-DC和功率因数校正（PFC）。其常见应用包括：电池充电基础设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS），以及服务器和电信开关电源（SMPS）。
由于IGBT反并联SiC肖特基势垒二极管，在dv/dt和di/dt值几乎不变下，CoolSiC™Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的Si二极管解决方案相比，新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。也可在输出功率保持不变下，开关频率提高至少40%。较高的开关频率有助于减小无源器件的尺寸，进而降低物料成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP™5 IGBT，无需重新设计，便能使每10 kHz开关频率提升0.1%的效率。
此产品系列可作为全Si解决方案和高效能SiC MOSFET设计之间的衔接，与全Si设计相比，HybridIGBT可提升电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基势垒二极管的单极性特性，使二极管能快速开关，而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四引脚可实现超低电感的栅极发射极控制回路，并降低总开关损耗。
供货情况
CoolSiC™HybridIGBT单管延续之前采用IGBT与CoolSiC™肖特基势垒二极管的CoolSiC™Hybrid IGBT EasyPACK™1B和2B模块的成功经验。此单管产品组合即日起接受订购。产品组合包含反并联半电流CoolSiC™第6代SiC二极管的40A、50A和75A 650 V TRENCHSTOP™5超高速H5 IGBT，或反并联全电流CoolSiC™第6代SiC二极管的快速S5 IGBT。
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