3月20-22日，电子设计创新大会（EDI CON CHINA 2018）在北京国家会议中心举行。在3月21日的GaN专家论坛中，Qorvo参与了今年主题为“GaN走向全球”的专家论坛。

Qorvo大功率集成解决方案高级经理David Shih

在这个话题中，来自Qorvo的大功率集成解决方案高级经理David Shih将与众多业内专家一起探讨了这些问题：

在无线基础设施中GaN是否已经取代LDMOS？硅基GaN的优势是否从PPT转变为现实？GaN是否在毫米波频率下挑战GaAs和硅？GaN为开关、混频器和低噪声放大器提供哪些性能优势？中国企业是否已具备了有竞争力的技术和生产能力？

超密集组网通过增加基站部署密度，可实现频率复用效率的巨大提升，并且带来可观的容量增长，未来随着基站数量的增加，基站内射频器件的需求也将随之大幅提升。

David Shih认为，5GHz以上所有宏基站部署将看到GaN逐步取代LDMOS，同时，GaAs也将从小型基站网络的需求增长中受益。小基站及Massive MIMO的飞速发展，会对集成度要求越来越高，GaN自有的先天优势会加速功率器件集成化的进程。5G将会带动GaN这一产业的飞速发展，但是目前LDMOS仍有成本、芯片尺寸等方面的优势。

GaN已成为射频器件技术的重要经济力量，正在瓜分4G应用中LDMOS市场的市场份额。那么随着手机射频前端复杂性的增加，GaN射频器件是否已经能够应用到终端设计例如手机中呢？

他认为，目前GaN用于手机主要挑战有2个，一个是GaN的成本过高，另一个是GaN的供电电压太高，不适合手机。不过，未来通过改进GaN射频器件仍然有可能应用于手机。总结来看，凭借更高频率密度、更高截止频率及耐高温等特性，GaN不仅能够满足5G射频前端的需求，也能够很好的满足5G小基站的需求。

由此看来，GaN射频器件非常好的频率特性确实是5G的最好选择，但系统中的其他器件没有那么好的频率特性与之匹配，GaN器件的优势目前来说还不能很好的发挥。更为关键的高成本问题则影响着GaN的普及应用，至于在移动设备中的应用，目前受制于成本和电压的问题应用还不现实。但David Shih强调，随着GaN技术的进步，相信在5G时代GaN将取代传统的半导体材料，得到更加广泛的应用。

Qorvo正致力于改善GaN-on-SiC产品的性能并已可提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。例如最近推出的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。与硅基LDMOS和硅双极器件相比，QPD1025不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能，在效率上还有了显著提升。Qorvo推出的这款高功率和高效率解决方案，在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐高温材料，具备极高的高性价比。与LDMOS相比，QPD1025的漏极效率有了显著提升，效率高出近15个百分点，这对IFF和航空电子应用来说都非常重要。