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三星看好半导体景气持续往上走，周二宣布未来四年将砸下逾20兆韩圜，或相当于190亿美元投资旗下半导体事业。
三星两年前耗资15.6兆韩圜在南韩平泽市打造新存储厂，新厂当日才刚正式投产，三星已计划2021年内再额外投入14.4兆韩圜（125亿美元）扩厂（美联社）。
三星还计划投资位于华城的存储园区6兆韩圜。与此同时，三星也考虑增加中国西安半导体厂的产能。
IHS Markit数据显示，2017年全球DRAM产值跳增72%、来到722亿美元，2018年预估将进一步扩增至844亿美元，年增率达16.9%。
NAND闪存去年成长46.2%、成为538亿美元，今年预估扩增至592亿美元。产业资讯显示，3D NAND闪存占三星闪存出货比重，去年第四季已超过八成，今年底预估将超越九成。
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