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新华网长沙9月26日电 日前，我国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产业链的10余家企业与科研机构在湖南株洲签署框架协议，计划共同创建新型功率半导体器件及应用国家创新中心，旨在推动我国新型功率半导体技术取得新突破。
参与组建创新中心的机构，包括中车时代电气、国家电网、南方电网、格力电器、中科院微电子所、中环半导体、湘投控股、时代新材、时代电动等，汇集了企业、高校、科研院所、投资基金等资源。该中心将通过打造利益共同体，共同解决我国在功率半导体器件领域的共性技术。
新型功率半导体是关系国民经济命脉的共性关键技术，涉及先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、新材料等行业。2016年我国功率半导体市场规模达1496亿元，但由于创新链各环节衔接不畅，创新主体分散，行业“技术孤岛”频发，对国际技术路径和产品依赖严重。
中国工程院院士、中国IGBT技术创新与产业联盟理事长、中车株洲研究所董事长丁荣军说，新型功率半导体器件及应用国家创新中心的成立，将推动形成“技术创新-技术转化-规模化应用并获利-投资资金再创新”的闭合循环，构建优势互补、风险共担的体系化协同创新机制，推动创新成果在先进轨道交通、智能电网、消费电子、电动汽车等重要领域的产业化应用。
IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，与微电子技术中芯片技术（通常所说的CPU）一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”，控制并提供大功率的电力设备电能变换。过去，全球IGBT技术主要被欧洲和日本等少数国家掌握，中国IGBT芯片及其相关产品严重依赖进口。2014年6月，中国中车自主建成中国首条、世界第二条８英寸IGBT专业芯片线。
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