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近年SiC由于节能效果卓越，广为汽车或工具机等所采用，并可望有更大功率的产品阵容。 而为了百分百活用SiC产品所具有的独特高速开关性能，在类似功率模块产品等额定电流大的产品方面，尤其需要研发新封装以抑制开关时突波电压﹙surge voltage﹚的影响。
半导体制造商ROHM于2012年3月率先开始量产由全碳化硅构成内建型功率半导体组件的全SiC功率模块。 之后陆续推出高达1200V、300A额定电流的产品，广为各种不同领域所采用。 本次使用新研究封装在IGBT模块市场中成功扩增涵盖100A到600A等主要额定电流范围的全SiC模块阵容，可望进一步扩大需求。
ROHM针对工具机用电源、太阳能发电功率调节器﹙Power Conditioner﹚或UPS等变频器﹙inverter﹚、转换器﹙converter﹚业已研发出1200V 400A、600A额定的全碳化硅﹙Full SiC﹚功率模块BSM400D12P3G002、BSM600D12P3G001。
本产品藉由独家研发模块内部构造及散热设计的优化封装达到额定600A，因此可进一步探讨工具机用大容量电源等更高功率应用程序。 而且，由于开关损耗也比一般同等额定电流的IGBT模块减少了64%（芯片温度150℃时），因此有助于应用程序的节能化。 此外，由于可以进行高频率驱动，周边可选用较小组件，开关损耗亦大幅降低，协助冷却系统的小型化。 例如，在冷却系统损耗仿真的试算下，相较于同等额定电流的IGBT模块，使用SiC模块可以让水冷散热器﹙water heat sink﹚小型化88%。 本模块从6月起开始进行样品出货?量产。
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