李在镕：三星计划首发3nm GAA 制程芯片-EDA365

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据韩国媒体报导，三星电子的领导人李在镕(Lee Jae-yong) 今日讨论了三星将计划首发3nm GAA 制程芯片的战略计划。

该报导称，李在镕昨日参观了三星电子位于京畿道华城(Hwaseong) 的半导体研发中心。这也是李在镕在2020 年的首个官方行程，期间他听取三星电子3nm 制程技术报告，并与半导体部门主管讨论了新一代半导体战略。

据三星电子称，李在镕讨论了三星计划采用正在研发中的最新3nm GAA 制程技术来制造尖端晶片的计划。GAA 被认为是当前FinFET 技术的升级版，能确保芯片制造商进一步缩小体积。

去年4 月三星电子完成了采用EUV 的5nm FinFET 制程技术的研发。如今该公司正在研究下一代制程技术(即3nm GAA)。三星电子表示，与5nm 制程相比，3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了35% 以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

此举也呼应三星先前所说的，将全力进攻非DRAM 与NAND Flash 晶片的半导体市场，在去年，三星宣布了一项折合美金高达1118.5 亿美元的投资计划，目标是要让三星能够成为全球最大的半导体芯片制造商。

关键字：3nm 三星

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