瑞萨将上市SiC功率半导体 2011年10月量产-EDA365

半导体制造 > 半导体生产 > 详情

瑞萨将上市SiC功率半导体 2011年10月量产

发布时间：

据了解，瑞萨电子计划上市SiC（碳化硅）功率半导体。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产，2012年3月以后以10万个/月的规模量产。该公司还打算在2011年度内，样品供货耐压提高至1200V的SiC-SBD。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC（功率因数校正）电路以及逆变器电路。

瑞萨此次上市的SiC-SBD，是在与日立制作所共同开发的技术基础上开发的。除了可将开关时的电力损失较Si制SBD降低40％外，还具有驱动电压只有1.5V的特点。据瑞萨介绍，验证导入PFC电路的效果发现，以SiC-SBD替换与Si制MOSFET相组合的Si制SBD后，工作效率提高了0.3个百分点。

瑞萨除了将此次的SiC-SBD作为单独部件提供外，还计划以在同一封装中集成Si制IGBT及MOSFET的模块和裸片形态提供。共备有电流容量为 10A、15A、20A和30A的4款产品。封装目前与该公司Si制功率半导体制品的相同。备有两个引线端子，外形尺寸与TO-220实型（Full Mold）相当。

关键字：瑞萨 SiC功率半导体 SiC-SBD

『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』