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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型的25V及30V N-通道沟道HEXFET功率MOSFET。它们针对同步降压转换器及电池保护增强了转换效能，适用于消费者和网络方面的计算机运算应用。
这个新型的MOSFET系列通过IR得到肯定的硅技术，提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且改进了切换效能。新组件的低传导损耗提高了全负载效率及温度效能。同时，它们即使在轻负载下，低切换损耗也有助达到高效率。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：「这些新型MOSFET设有Power QFN封装，比SO-8封装提供更高的功率密度，同时又能够保持同样的引脚分布配置。新型的双SO-8 MOSFET还容许『二对一』交换来减少组件数目，满足不同应用的要求。」
单个及双N-通道MOSFET现在已开始供应。除了D-PAK、I-PAK和SO-8封装之外，单个N-信道组件也为高量生产作出了最佳化，提供PQFN 5x6mm和3x3mm封装。双N-信道组件则采用SO-8封装。新组件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)，更可以不含卤素。
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