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英飞凌科技(Infineon)推出OptiMOS线性FET系列产品，结合了先进沟槽式MOSFET的导通电阻(RDS(on))与平面型MOSFET的宽广安全操作区域，解决了须在RDS(on)和线性模式功能间抉择的难题。
新款OptiMOS线性FET可以在强化模式MOSFET的饱和区运作，非常适用于电信及电池管理系统(BMS)中常见的热插入、电子熔丝和保护应用。
稳固的线性模式运作和高脉冲电流，可降低传导损耗、加速启动，并缩短停机时间。 OptiMOS线性FET可限制高涌浪电流，预防短路时发生负载损坏。
OptiMOS线性FET目前提供三种电压等级，其为100V、150V和200V，皆采用D2PAK或D2PAK 7pin封装。
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