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各种存储器比较（PCM，STTRAM，SRAM，DRAM，Flash NAND，HDD），看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势。
综合起来可以看出忆阻器在集成密度，数据的读写时间有着比较明显的优势：
Endurance：代表器件最大的擦写次数；
STTRAM：自旋扭矩转换随机存储器，物理机制是磁致阻变效应；
SRAM：静态随机存储器，主要用来制造CPU与主板之间的缓存。
优点是速度快（可以看到这种存储器的读写速度是最快的）；
缺点是集成密度低，掉电不能保存数据。
DRAM：动态随机存储器，用途主要在内存上。忆阻器的大部分参数可以和DRAM相比，也可以用来制造内存。
Flash（NAND）：闪存。用途：固态硬盘，便携式存储器。
HDD：硬盘。
优点是价格低廉（这种存储器的单位容量所需要的价格是最低的，
缺点也是显而易见的，读写速度比其他存储器低很多数量级。
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